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En outre, Atlanta Micro propose désormais certains amplificateurs dans un module blindé RF en aluminium avec des connecteurs SMA remplaçables sur...
L'AM1163 et 1164 offrent des performances similaires à celles de l'AM1063 d'Atlanta Micro, avec l'avantage d'un NF basse fréquence amélioré
Pour permettre à la prochaine génération d’applications sensibles au bruit (y compris le radar les tests de chipset sans fil), et les sources de...
Convient à toutes les normes de modulation à canal unique
Haute fiabilité et robustesse
Convient à toutes les normes de modulation à canal unique
Circuits de protection intégrés
Notre sélection d'amplificateurs à faible bruit comprend une régulation de tension intégrée, un séquençage de la polarisation et une protection...
Découvrez la série PE d'amplificateurs LNA de Pasternack dans notre tableau ci-dessous. Plus de 50 références pour cette série
Une large gamme d'amplificateurs LNA faible bruit opérant jusqu'à 54 GHz en alimentation DC.
Conçus pour des performances optimales dans des applications de haute fréquence, grâce à la technologie des semi-conducteurs GaAs.
Ces LNAs utilisent la technologie des semi-conducteurs GaAs pour une performance à faible bruit optimale et une haute efficacité. Ils couvrent de...
Ces amplificateurs à faible bruit (LNA) sont conçus pour une utilisation dans diverses applications RF et micro-ondes. Ils sont disponibles pour...
Un amplificateur faible bruit (LNA) est un dispositif électronique chargé de mettre en forme des signaux très faibles en provenance d'une antenne. Il est souvent placé à proximité du capteur, de manière à minimiser les pertes en ligne ; pour cette raison, il est parfois nommé préamplificateur. Ce type de solution est fréquemment utilisé pour les systèmes travaillant à des fréquences élevées, tels que le signal GPS.
Suivant les fréquences, l'élément actif d'un amplificateur d'entrée à faible bruit varie : le FET est le moins bruyant jusqu'à quelques dizaines de mégahertz, suivi par le transistor bipolaire (particulièrement SiGe), puis de nouveau le FET en GaAs au-delà de quelques gigahertz.