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Date de disponibilité :
L'UTC 8NM70A est un MOSFET à super jonction haute tension conçu pour présenter de meilleures caractéristiques, telles qu'un temps de commutation rapide, une faible charge de grille, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques d'avalanche très robustes. Ce MOSFET de puissance est généralement utilisé pour des applications de commutation à haute vitesse dans les alimentations à découpage et les adaptateurs.
Caractéristiques techniques :
Références et spécifications :
PARAMETER | SYMBOL | RATINGS | UNIT | |
Drain-Source Voltage | VDSS | 700 | V | |
Gate-Source Voltage | VGSS | ±30 | V | |
Drain Current | Continuous | ID | 8 | A |
Pulsed (Note 2) | IDM | 32 | A | |
Avalanche Energy | Single Pulsed (Note 3) | EAS | 110 | mJ |
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4) | dv/dt | 5.0 | V/ns | |
Power dissipation | TO-220F1 | PD | 28 | W |
TO-251/TO-252 | 54 | W | ||
Junction Temperature | TJ | +150 | °C | |
Storage Temperature | TSTG | -55 ~ +150 | °C |
Notes :