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Date de disponibilité :
L'UTC 11NM70 est une structure MOSFET à super jonction conçue pour présenter de meilleures caractéristiques, telles qu'un temps de commutation rapide, une faible charge de grille, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques d'avalanche très robustes.
Ce MOSFET de puissance est généralement utilisé dans les convertisseurs AC-DC pour les applications de puissance.
Caractéristiques techniques :
Spécifications :
PARAMETER | SYMBOL | RATINGS | UNIT | |
Drain to Source Voltage | VDSS | 700 | V | |
Gate to Source Voltage | VGSS | ±30 | V | |
Continuous Drain Current | Continuous | ID | 11 | A |
Pulsed Drain Current | Pulsed (Note 2) | IDM | 22 | A |
Avalanche Energy | Single Pulsed (Note 3) | EAS | 166 | mJ |
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4) | dv/dt | 3.5 | V/ns | |
Power Dissipation | TO-220/TO-262 TO-262S/TO-263 | PD | 85 | W |
TO-220F/TO-220F1 TO-220F2/TO-220F3 | 30 | W | ||
TO-251/TO-251S TO-251S2/TO-252 | 70 | W | ||
Junction Temperature | TJ | +150 | °C | |
Storage Temperature | TSTG | -55 ~ +150 | °C |