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MOSFET d'amélioration à canal N : SM7A25NSF/SM7A25NSFP/ SM7A25NSU/SM7A25NSUB Agrandir l'image

MOSFET d'amélioration à canal N : SM7A25NSF/SM7A25NSFP/ SM7A25NSU/SM7A25NSUB | SINOPOWER

Applications : Conversion d'énergie AC/DC dans les alimentations à découpage, alimentation sans interruption (UPS), adaptateur

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Documentation MOSFET d'amélioration à canal N

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Description

Applications :

  • Conversion d'énergie AC/DC dans les alimentations à découpage
  • Alimentation sans interruption (UPS)
  • Adaptateur

Caractéristiques :

  • 700 V/10 A
    • RDS(ON)= 0.49W(max.) @ VGS= 10V
    • VDS @Tj, max=800V (typ.)
  • Fiabilité et robustesse
  • Classé Avalanche
  • Dispositifs verts et sans plomb disponibles (conforme à la directive RoHS)
  • Testé à 100% par UIS + Rg

Spécifications :

Symbol Parameter Rating Unit
Common Ratings
VDSS Drain-Source Voltage 700 V
VGSS Gate-Source Voltage ±30
TJ Maximum Junction Temperature 150 °C
TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 °C
IS Diode Continuous Forward Current 8 a A
IDP b Pulse Drain Current Tested TC=25°C 30 a A
ID Continuous Drain Current TC=25°C 10 a A
TC=100°C 6.3 a
PD Maximum Power Dissipation for TO-220/TO-252-2/TO-251 TC=25°C 125 W
TC=100°C 50
PD Maximum Power Dissipation for TO-220FP TC=25°C 31.2
TC=100°C 12.5
RqJC Thermal Resistance-Junction to Case for TO-220/TO-252-2/TO-251 1 °C/W
RqJC Thermal Resistance-Junction to Case for TO-220FP 4
RqJA  Thermal Resistance-Junction to Ambient 62.5
Drain-Source Avalanche Ratings
dv/dt c MOSFET dv/dt ruggedness 50 V/ns
E    d
AS		 Avalanche Energy, Single Pulsed 100 mJ
e
IAR		 Avalanche Current 1.6 A
e
EAR
Repetitive Avalanche Energy 0.24 mJ
Conseils et Préconisations Composant
Demarche commerciale
Expertise
Veille et Suivi
Agence en Chine

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