Agrandir l'image

MOSFET à canal N en mode enrichissement : SM1A63NHKP | SINOPOWER

Dispositifs sans plomb et écologiques disponibles (conformes à la directive RoHS)

Caractéristiques techniques :

100V/62A
RDS(ON)= 9m W(max.) @ VGS= 10 V
RDS(ON)= 11.7 mW(max.) @ VGS= 4.5 V
Testé à 100% par UIS + Rg
Fiable et robuste
Dispositifs sans plomb et écologiques disponibles (conformes à la directive RoHS)

Applications :

Symbol	Parameter		Rating	Unit
Common Ratings
VDSS	Drain-Source Voltage		100	V
VGSS	Gate-Source Voltage		±20	V
TJ	Maximum Junction Temperature		150	°C
TSTG	Storage Temperature Range		-55 to 150	°C
IS	Diode Continuous Forward Current	TC=25°C	30	A
ID	Continuous Drain Current	TC=25°C	62	A
ID	Continuous Drain Current	TC=100°C	39
a IDM	Pulsed Drain Current	TC=25°C	248
PD	Maximum Power Dissipation	TC=25°C	71	W
PD	Maximum Power Dissipation	TC=100°C	28	W
RqJC	Thermal Resistance-Junction to Case		1.75	°C/W
ID	Continuous Drain Current	TA=25°C	10.7	A
ID	Continuous Drain Current	TA=70°C	8.6	A
PD	Maximum Power Dissipation	TA=25°C	2.08	W
PD	Maximum Power Dissipation	TA=70°C	1.33	W
RqJA c	Thermal Resistance-Junction to Ambient		60	°C/W
IAS b	Avalanche Current, Single pulse	L=0.5mH	25	A
EAS b	Avalanche Energy, Single pulse	L=0.5mH	156	mJ

Conseils et Préconisations Composant