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MOSFET à canal N pour charge mobile : SM1F53NHKP | SINOPOWER

Appreil sans plomb et disponible en mode écologique(conforme à la directive RoHS)

Caractéristiques :

150V/74 A
- R_DS(ON)=14.2 mΩ(max.)@VGS=10 V
100% testé par UIS + Rg
Fiable et robuste
Appreil sans plomb et disponible en mode écologique(conforme à la directive RoHS)
Niveau de sensibilité à l'humidité MSL1(selon JEDEC J-STD-020D)

Applications :

Spécifications :

Symbol	Parameter		Rating	Unit
Common Ratings
VDSS	Drain-Source Voltage		150	V
VGSS	Gate-Source Voltage		±20	V
TJ	Maximum Junction Temperature		175	°C
TSTG	Storage Temperature Range		-55 to 175	°C
IS	Diode Continuous Forward Current	TC=25°C	37	A
ID	Continuous Drain Current	TC=25°C	74	A
ID	Continuous Drain Current	TC=100°C	52
IDM a	Pulsed Drain Current	TC=25°C	222
PD	Maximum Power Dissipation	TC=25°C	188	W
PD	Maximum Power Dissipation	TC=100°C	93	W
RqJC	Thermal Resistance-Junction to Case		0.8	°C/W
ID	Continuous Drain Current	TA=25°C	8.9	A
ID	Continuous Drain Current	TA=70°C	7.5	A
PD	Maximum Power Dissipation	TA=25°C	2.73	W
PD	Maximum Power Dissipation	TA=70°C	1.91	W
RqJA c	Thermal Resistance-Junction to Ambient		55	°C/W
IAS b	Avalanche Current, Single pulse	L=0.5mH	27	A
EAS b	Avalanche Energy, Single pulse	L=0.5mH	182	mJ

Conseils et Préconisations Composant