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Transistor discret en nitrure de gallium (GaN) : Série QPD, TxG, TGF Agrandir l'image

Transistor discret en nitrure de gallium (GaN) : Série QPD, TxG, TGF | QORVO

Une fiabilité record qui dépasse les normes industrielles précédentes

Plus de détails

Description

Qorvo offre une large gamme de transistors discrets en nitrure de gallium (GaN) avec différents niveaux de puissance, de tension et de fréquence, à la fois sous forme de puce et de boîtier. Nos produits offrent les hautes performances du GaN ainsi que la commodité d'un conditionnement standard, ce qui accélère la conception et la fabrication, le tout soutenu par une fiabilité de premier ordre.

Caractéristiques principales :

  • Rendement et densité de puissance élevés
  • Gain supérieur
  • Robustesse et capacité à fonctionner sur une large bande passante
  • Une fiabilité record qui dépasse les normes industrielles précédentes
  • Expertise de conception en tant que pionnier de la technologie GaN

Applications typiques :

  • Radars militaires et civils
  • Radiocommunications professionnelles et militaires
  • Instrumentation de test
  • Amplificateurs à large bande ou à bande étroite
  • Jammers
  • Station de base : station émettrice-réceptrice de base, répéteurs, picocellules, réseaux de macrocellules

Références et spécifications :

Part # Description Frequency Min
MHz		 Frequency Max
MHz		 Gain
dB		 Psat
dBm		 Drain Efficiency
%		 Vd
V		 Idq
mA
QPD0005 2.5 - 5.0 GHz, 8 Watt, 48 Volt GaN RF Transistor 2,500 5,000 18.8 39.4 72.9 48 12
QPD0005M 6 Watt, 48 Volt, 2.5 - 5.0 GHz, GaN RF Transistor 2,500 5,000 18.6 37.7 74.1 48 20
QPD0006 13.5 Watt, 48 Volt, 2.5 - 5.0 GHz, GaN on SiC RF Transistor 2,500 5,000 16 41.3 75 48 40
QPD0007 DC - 5 GHz, 20 Watt, 48 Volt,  GaN RF Transistor DC 5,000 19 43 73 48 32.5
QPD0009J 15 Watt / 30 Watt, 48 Volt, 3.4 - 3.6 GHz, Asymmetric Doherty 3,400 3,600 14 47 54.5 48 32.5
QPD0010 2.5 - 2.7 GHz, 40 Watt / 80 Watt, 48 Volt Asymmetric Doherty 2,500 2,700 15 50.5 55 48 65
QPD0011 3.3 - 3.6 GHz, 30 Watt / 60 Watt, 48 Volt Asymmetric Doherty 3,300 3,600 13.3 49.5 48 48 65
QPD0012 20W/40W, 48V, 2500-2700 MHz Asymmetric Doherty Amplifier 2,500 2,700 14.8 47.3 59 48 40
QPD0020 DC - 6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor DC 6,000 18.8 45.4 77.8 48 30
QPD0030 DC - 5 GHz, 45 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor DC 5,000 22.3 46.9   48 85
QPD0050 DC - 3.6 GHz, 75 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,600 22.5 48.7   48 130
QPD0060 DC - 3.6 GHz, 90 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,600 25 49.5   48 150
QPD1000 0.03 - 1.215 GHz, 15 Watt, 28 Volt GaN RF Input-Matched Transistor 30 1,215 19 43.8   28 50
QPD1003 1.2 - 1.4 GHz, 500 Watt, 50 Volt, GaN RF IMFET 1,200 1,400 19.9 57.3   50 750
QPD1004 30 - 1200 MHz, 25 Watt, 50 Volt GaN RF Input-Matched Transistor 30 1,200 20.8     50 50
QPD1006 450 Watt, 50 Volt, 1.2 - 1.4 GHz GaN IMFET 1,200 1,400 17.5 54.9   45 750
QPD1008 DC - 3.2 GHz, 125 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,200 > 17 52   50 260
QPD1008L DC - 3.2 GHz, 125 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,200 > 17 52   50 260
QPD1009 DC - 4 GHz, 15 Watt, 50 Volt GaN RF Transistor DC 4,000 24 42.3   50 26
QPD1010 DC - 4 GHz, 10 Watt, 50 Volt GaN RF Transistor DC 4,000 24.7 40.4   50 18
QPD1011 7 Watt, 50 Volt, 0.03 - 1.2 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 30 1,200 21 39.4   50 20
QPD1013 DC - 2.7 GHz, 150 Watt, 65 Volt GaN RF Transistor DC 2,700 21.8     65 240
QPD1014 15 Watt, 50 Volt, 0.03 - 1.2 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 30 1,200 18.4 41   50 25
QPD1015 DC - 3.7 GHz, 65 Watt, 50 V GaN RF Power Transistor DC 3,700 20 48.5   50 65
QPD1015L DC - 3.7 GHz, 65 Watt, 50 V GaN RF Power Transistor DC 3,700 20 48.5   50 65
QPD1016 500 Watt, 50 Volt, DC - 1.7 GHz, GaN RF Transistor DC 1,700 23.9 58.3   50 1,000
QPD1016L 500 Watt, 50 Volt, DC - 1.7 GHz, GaN RF Transistor DC 1,700 15 57.3 67 50 1,000
QPD1017 3.1 - 3.5 GHz, 450 Watt, 50 V GaN RF IMFET 3,100 3,500 16.5 56.6   50 750
QPD1018 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET 2,700 3,100 17.7 57.6   50 750
QPD1019 500 Watt, 50 Volt, 2.9 - 3.3 GHz, GaN RF IMFET 2,900 3,300 15.5 57.7   50 750
QPD1020 30 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.5 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 2,700 3,500 18.4 45   50 52.5
QPD1022 DC - 12 GHz, 10 Watt, 32 V GaN RF Transistor DC 12,000 24     32 50
QPD1025 1800 Watt, 65 Volt, .96 - 1.215 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 960 1,215 22.5 62.7   65 1,500
QPD1025L 1800 Watt, 65 Volt, .96 - 1.215 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 960 1,215 22.5 62.7   65 1,500
QPD1026L 1300 Watt, 65 Volt, 420 - 450 MHz GaN RF Input-Matched Transistor 420 450 25.9 61.2   65 1,500
QPD1028 1.2 - 1.4 GHz, 750 Watt, 65 Volt, GaN on SiC RF Transistor 1,200 1,400 18 59 70 65 750
QPD1028L 1.2 - 1.4 GHz, 750 Watt, 65 Volt GaN on SiC RF Transistor 1,200 1,400 18 59 70 65 750
QPD1029L 1500 Watt, 65 Volt, 1.2 - 1.4 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor 1,200 1,400   61.8   65 1,500
QPD1425 1.2 - 1.4 GHz, 375 Watt, 65 Volt,  GaN on SiC RF Transistor 1.2 1.4 17 56.3 75 65 430
QPD1425L 1.2 - 1.4 GHz, 375 Watt, 65 Volt , GaN on SiC RF Transistor 1.2 1.4 17 56.3 75 65 430
QPD1881L 400 Watt, 50 Volt, 2.7 - 2.9 GHz, GaN RF Power Transistor 2,700 2,900 21.2 56.3   50 700
QPD9300 30 Watt, 28 Volt, 9.2 - 9.7 GHz, GaN RF IMFET 9,200 9,700 9.1 34.3 48.6 25 240
T1G4020036-FL DC - 3.5 GHz, 2 x 200 Watt, 50 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,500 18.1 2 x 53.0 67.6 50 520
T1G4020036-FS DC - 3.5 GHz, 2 x 200 Watt,  50 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,500 18.1 2 x 53.0 67.6 50 520
T2G4005528-FS DC - 3.5 GHz, 55 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 3,500 16 47.2 52 28 200
T2G6000528-Q3 DC - 6 GHz, 10 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 6,000 17 40 53 28 50
T2G6001528-Q3 DC - 6 GHz, 15 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 6,000 15.5 42 72 28 100
T2G6001528-SG DC - 6 GHz, 15 Watt, 28 Volt GaN RF Power Transistor DC 6,000 15.5 42 72 28 100
T2G6003028-FL DC - 6 GHz, 30 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 6,000 14 45   28 200
T2G6003028-FS DC - 6 GHz, 30 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 6,000 14 45   28 200
TGF2023-2-01 DC - 18 GHz, 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 18,000 18 38   12 to 32 25 to 125
TGF2023-2-02 DC - 18 GHz, 12 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 18,000 21 40.1   12 to 32 50 to 250
TGF2023-2-05 DC - 18 GHz, 25 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 18,000 18 43   12 to 32 100 to 500
TGF2023-2-10 DC - 14 GHz, 50 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 14,000 19.8 47.3   12 to 32 200 to 1,000
TGF2023-2-20 DC - 14 GHz, 100 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 14,000 19.2 50.5   12 to 32 400 to 2,000
TGF2819-FL DC - 4.0 GHz, 200 Watt Peak, 40 Watt Avg.Power, 50 Volt, GaN RF Power Transistor DC 4,000 > 14 51   50 250
TGF2819-FS DC - 4.0 GHz, 200 Watt Peak, 40 Watt Avg. Power, 50 Volt, GaN RF Power Transistor DC 4,000 > 14 51   50 250
TGF2929-FL DC - 3.5 GHz, 100 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor DC 3,500 > 14 50.3   28 260
TGF2929-HM DC - 3.5 GHz, 100 Watt, 28 Volt GaN RF Power Transistor DC 3,500 17.4 51.2   28 260
TGF2933 DC - 25 GHz, 7 Watt, 28 V GaN RF Transistor DC 25,000 15 38.6   28 80
TGF2954 DC - 12 GHz, 27 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT DC 12,000 19.6 44.5   32 100
TGF2965-SM 0.03 - 3 GHz, 5 Watt, 32 V, 50 Ohm GaN RF Input-Matched Transistor 30 3,000 18 37.8   32 25
TGF2977-SM DC - 12 GHz, 5 Watt, 32 V GaN RF Transistor DC 12,000 13 37.8   32 25
TGF2978-SM DC - 12 GHz, 20 Watt, 32 V GaN RF Transistor DC 12,000 11 42.8   32 100
TGF2979-SM DC - 12 GHz, 25 Watt, 32 Volt GaN RF Transistor DC 12,000 11 43.4   32 150
TGF3015-SM 0.03 - 3.0 GHz, 10 Watt, 32 Volt GaN RF Input-Matched Transistor 30 3,000 17 40.4   32 50
TGF3020-SM 4 - 6 GHz, 5 Watt, 32 V, 50 Ohm GaN RF Input-Matched Transistor 4,000 6,000 12.7 38.3   32 25
TGF3021-SM 0.03 - 4.0 GHz, 30 Watt, 32 V GaN RF Transistor 30 4,000 19 45   32 65

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