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Date de disponibilité :
Description :
Cette conception de diode Gunn en phosphate d'indium (InP) permet d'obtenir une puissance de sortie plus élevée, un meilleur rendement et un bruit AM plus faible que les homologues en GaAs. Les performances impressionnantes à 50 ohms comprennent un niveau de puissance de sortie élevé de +15 dBm min avec une réponse harmonique de -20 dBc typ. Les autres performances typiques comprennent un bruit de phase de -95 dBc/Hz à un décalage de 100 kHz, une stabilité de fréquence de -0,4 MHz/°C et une stabilité de puissance de -0,03 dB/°C. La tension de polarisation nominale est de +4,5 Vdc avec un courant de 250 mA, et la plage de température opérationnelle est de 0°C à +50°C.
Le boîtier compact prend en charge un guide d'ondes de taille WR-28 avec une bride UG-599/U, et comprend un dissipateur thermique intégré pour une dissipation thermique optimale. De plus, ce module oscillateur très fiable est conçu pour répondre à une variété de conditions d'essai MIL-STD-202, y compris chocs, vibrations, altitude et humidité.
Caractéristiques :
Applications :
Références et spécifications :
Part Number | Waveguide Size | Flange Designation | Flange Type |
PEWGN1010 | WR-28 | UG-599/U | Square Cover |
PEWGN1011 | WR-28 | UG-599/U | Square Cover |
PEWGN1012 | WR-42 | UG-595/U | Square Cover |
PEWGN1013 | WR-90 | UG-39/U | Square Cover |