NOS SERVICES
LA SOCIÉTÉ
INFORMATION
Nous vous informons que nos bureaux seront fermés pour les congés d’hiver du 25 décembre 2024 au 1er janvier 2025.
Please be advised that our offices will be closed for Winter Holidays from December 25, 2024, to January 1, 2025.
LOGICIELS | MATÉRIELS | SERVICES |
|
|||||||
|
NOTRE ACCOMPAGNEMENT ET NOTRE EXPERTISE | NOS VALEURS AJOUTEES |
NOS SOLUTIONS ET REALISATIONS |
|
|||||||
|
|
LIVRAISON
Attention : dernières pièces disponibles !
Nous vous contacterons pour valider votre commande quand le produit sera disponible.
Date de disponibilité :
Qorvo offre une grande variété de composants à transistors discrets utilisant des procédés de pointe à très faible bruit pHEMT 0,15 µm et E-pHEMT 0,25 µm.
Ces dispositifs discrets permettent aux clients un contrôle total lors de la conception des circuits d'amplificateurs à faible bruit (LNA). Les différents FET discrets offrent un NF (min) aussi bas que 0,15 dB et sont utilisables jusqu'à 22 GHz. Des transistors à paires appariées sont également disponibles et sont idéaux pour les conceptions LNA équilibrées.
Caractéristiques essentielles :
Applications typiques :
GaAs pHEMTs (8) :
Part # | Description | Frequency Min MHz |
Frequency Max MHz |
Gain dB |
OP1dB dBm |
Psat dBm |
NF dB |
PAE % |
Vd V |
Idq mA |
Package mm |
QPD2018D | DC - 20 GHz, 180 um Discrete GaAs pHEMT Die | DC | 20,000 | 14 | 22 | 22 | 1 | 55 | 8 | 29 | 0.41 x 0.34 x 0.10 |
QPD2025D | DC - 20 GHz, 250 um Discrete GaAs pHEMT Die | DC | 20,000 | 14 | 24 | 24 | 0.9 | 58 | 8 | 40 | 0.41 x 0.34 x 0.10 |
QPD2040D | DC - 20 GHz, 400 um Discrete GaAs pHEMT Die | DC | 20,000 | 13 | 26 | 26 | 1.1 | 55 | 8 | 65 | |
QPD2060D | DC - 20 GHz, 600 um Discrete GaAs pHEMT Die | DC | 20,000 | 12 | 28 | 28 | 1.4 | 55 | 8 | 97 | 0.41 x 0.34 x 0.10 |
QPD2080D | DC - 20 GHz, 800 um Discrete GaAs pHEMT Die | DC | 20,000 | 11.5 | 29.5 | 29.5 | 1 | 56 | 8 | 130 | 0.41 x 0.54 x 0.10 |
QPD2120D | DC - 20 GHz, 1200 um Discrete GaAs pHEMT Die | DC | 20,000 | 11 | 31 | 31 | 1 | 57 | 8 | 194 | 0.41 x 0.54 x 0.10 |
QPD2160D | DC - 20 GHz, 1600 um Discrete GaAs pHEMT Die | DC | 20,000 | 10.4 | 32.5 | 32.5 | 1 | 63 | 8 | 258 | 0.41 x 0.54 x 0.10 |
TQP3M6005 | 1700 - 2000 MHz High IP3 Dual pHEMT Low Noise Amplifier | 1,700 | 2,000 | 17.9 | 21.6 | 0.36 | 4.5 | 50 |
Low Noise Amplifiers (3) :
Part # | Description | Frequency Min GHz |
Frequency Max GHz |
Gain dB |
NF dB |
OP1dB dBm |
OIP3 dBm |
Voltage V |
Current mA |
Package Type | Package mm |
TQL9066 | 50 - 1500 MHz High IP3 Dual Low Noise Amplifier | 0.05 | 1.5 | 18.4 | 0.62 | 21.4 | 40 | 5 | 55 | QFN | 4 x 4 x 0.85 |
TQP3M9040 | 1500 - 2300 MHz High IP3 Dual Low Noise Amplifier | 1.5 | 2.3 | 18 | 0.62 | 20.8 | 39.8 | 5 | 57 | QFN | 4 x 4 x 0.85 |
TQP3M9041 | 2300 - 6000 MHz High IP3 Dual Low Noise Amplifier | 2.3 | 6 | 18.4 | 0.8 | 22.5 | 38.2 | 5 | 57 | QFN | 4 x 4 x 0.85 |