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Oscillateur à cristal compensé en température et contrôlé en tension de haute précision : Type Stratum 3 TL Agrandir l'image

Oscillateur (TCXO) à cristal compensé en température et contrôlé en tension de haute précision : Type TL pour Stratum 3 | TAITIEN

Convient parfaitement pour les applications de test et mesure, de systèmes de télécommunications ainsi que de communication par satellite

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Description

Caractéristiques :

  • Boîtier SMD en céramique standard de 5,0 x 3,2 x 1,85 mm.
  • Stratum 3 (globalement ±4,6ppm y compris un vieillissement de 20 ans.)
  • Sortie CMOS et onde sinusoïdale écrêtée (sans condensateur de coupure DC) en option.

Applications :

  • Femtocell
  • Stations de base
  • Synchronisation du temps
  • Communication hyperfréquence
  • Test et mesure
  • Systèmes de télécommunications
  • Communication par satellite

Spécifications :

Parameter 2.5V 3.3V Unit
  Min. Max. Min.
Supply Voltage Variation (VDD) VDD-5% VDD+5% VDD-5% VDD+5% V
Frequency Range 5 52 5 52 MHz
Standard Frequency 10, 12.8, 16.384, 19.2, 20, 25, 26
Operating Temp. Range -20 ~ 70
-40 ~ 85
°C
Frequency Stability (Overall, 20 Years)* _ ±4.6 _ ±4.6 ppm
Frequency Stability Vs Temp. Range (Ref. to (FMAX+Fmin)/2) _ ±0.14 (-20~+70°C)
±0.28 (-40~+85°C)
_ ±0.14 (-20~+70°C)
±0.28 (-40~+85°C)
ppm
Holdover Stability + _ 0.37 _ 0.37 ppm
Supply Current (CMOS output) _ 7.5 _ 7.5 mA
Supply Current (Clipped Sine Wave) _ 5 _ 5
Output Level (CMOS)  Output High (Logic “1”) 90%VDD _ 90%VDD _ V
Output Level (CMOS)
Output Low  (Logic “0”)
_ 10%VDD _ 10%VDD
Output Level (CMOS) Duty 45 55 45 55 %
Output Level (Clipped Sine Wave) 0.8 _ 0.8 _ Vp-p
Load (CMOS) 15pF 15pF
Load (Clipped Sine Wave) 10 KΩ // 10pF 10 KΩ // 10pF
Control Voltage Range (VCTCXO) 0.5 2.5 0.5 2.5 V
Pulling Range (VCTCXO) ±5.0 _ ±5.0 _ ppm
Vc Input Impedance (VCTCXO) 100 _ 100 _ kΩ
Phase Noise @ 10 MHz - 100 Hz -130 dBc/Hz
Phase Noise @ 10 MHz - 1 kHz -145
Phase Noise @ 10 MHz - 10 kHz -154
Start time   5   5 mSec
Storage Temp. Range -55 125 -55 125 °C

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