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Diode de commutation planar en silicium : BAV70 Agrandir l'image

Diode de commutation planar en silicium : BAV70 | TOPDIODE

Idéal pour des applications de commutation à très haute vitesse

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Documentation BAV70

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Description

Caractéristiques :

  • Petit boîtier
  • Faible tension directe
  • Temps de récupération inverse rapide
  • Petite capacité totale

Applications :

  • Application de commutation à très haute vitesse

Valeurs maximales :

Parameter Symbol Value Unit
Maximum Peak Reverse VoltageReverse Voltage VRM 100 V
VR 75 V
Average Forward Current IO 200 mA
Maximum Peak Forward Current IFM 300 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current         

 at t = 1 s

at t = 1 µs

 IFSM 1
2		 A
Power Dissipation Pd 350 mW
Junction Temperature Tj 150 OC
Storage Temperature Range Tstg - 55 to + 150 OC
Conseils et Préconisations Composant
Demarche commerciale
Expertise
Veille et Suivi
Agence en Chine

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