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Diode de commutation planar en silicium : 1N4148 Agrandir l'image

Diode de commutation planar en silicium : 1N4148 | TOPDIODE

Temps de récupération inverse rapide

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Documentation 1N4148

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Description

Caractéristiques :

  • Petit boîtier
  • Faible tension directe
  • Temps de récupération inverse rapide
  • Petite capacité totale

Applications :

  • Application de commutation à très haute vitesse

Valeurs maximales :

Parameter Symbol Rating Unit
Peak Reverse Voltae VRM 100 V
Reverse Voltage VR 75 V
Average Rectified Forward Current IF (AV) 200 mA
Non-repetitive peak forward surge current
Tj=25		 1 µs IFSM 4 A
t=1ms 1
t=1 s 0,5
power dissipation   * Ptot 500 mW
Thermal resistance from junction to tie-point Rth j-tp 200 K/W
Storage Temperature Range Tstg -65 +200 K/W
Conseils et Préconisations Composant
Demarche commerciale
Expertise
Veille et Suivi
Agence en Chine

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