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| CONSEIL D'EXPERTS TECHNIQUES | DISTRIBUTEUR DEPUIS 1963
Transistor à effet de champ (SiC FET), 650-1200 VDS : Série UF3C, UF4C, UJ3C, UJ4C & UJ4S Agrandir l'image

Transistor à effet de champ (SiC FET), 650-1200 VDS : Série UF3C, UF4C, UJ3C, UJ4C & UJ4S | QORVO

Ces FET sont basés sur une configuration cascode unique où un JFET rapide SiC haute performance est co-packagé avec un Si-MOSFET optimisé pour le cascode, permettant le fonctionnement d'un dispositif SiC à commande de grille standard.

Plus de détails

Description

Les FET en carbure de silicium (SiC) haute performance de Qorvo offrent la meilleure vitesse de commutation de leur catégorie, des pertes de commutation plus faibles, un rendement plus élevé, des boîtiers standard à trous traversants (y compris Kelvin) et des boîtiers pour montage en surface, avec un excellent rapport coût-efficacité.

Ces FET sont basés sur une configuration cascode unique où un JFET rapide SiC haute performance est co-packagé avec un Si-MOSFET optimisé pour le cascode, permettant le fonctionnement d'un dispositif SiC à commande de grille standard.

  • La majorité de ces dispositifs sont qualifiés AEC-Q101.

Caractéristiques essentielles :

  • Options de dispositifs 650 / 750 / 1200 / 1700 V
  • Options de RDS(on) les plus faibles de l'industrie, de 6 à 410 mohms
  • Nouveaux FET SiC Gen 4 750 V et 1200 V
  • Configuration cascode haute performance
  • Excellente performance de la diode de corps (Vf < 2V)
  • Commande avec n'importe quelle tension de commande de grille Si et/ou SiC
  • Boîtiers TO-220-3L ; TO-247-3L & 4L ; D2PAK-3L & 7L
  • La plupart sont qualifiés AEC-Q101

Applications typiques :

  • Chargement de véhicules électriques (EV)
  • Onduleurs photovoltaïques (PV)
  • Alimentations à découpage
  • Alimentations industrielles
  • Alimentation des télécommunications et des serveurs
  • Modules de correction du facteur de puissance
  • Entraînements de moteurs
  • Chauffage par induction

Références et spécifications :

Part # Description VDS Max
V		 RDS(on) Typ @ 25C
mohm		 ID Max
A		 Generation Tj Max
°C		 Automotive Qualification Package Type
UF3C065030B3 650 V, 27 mohm SiC FET 650 27 65 Gen 3 175 Yes D2PAK-3L
UF3C065030K3S 650 V, 27 mohm SiC FET 650 27 85 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UF3C065030K4S 650 V, 27 mohm SiC FET 650 27 85 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UF3C065030T3S 650 V, 27 mohm SiC FET 650 27 85 Gen 3 175 Yes TO-220-3L
UF3C065040B3 650 V, 42 mohm SiC FET 650 42 41 Gen 3 175 Yes D2PAK-3L
UF3C065040K3S 650 V, 42 mohm SiC FET 650 42 54 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UF3C065040K4S 650 V, 42 mohm SiC FET 650 42 54 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UF3C065040T3S 650 V, 42 mohm SiC FET 650 42 54 Gen 3 175 Yes TO-220-3L
UF3C065080B3 650 V, 80 mohm SiC FET 650 80 25 Gen 3 175 Yes D2PAK-3L
UF3C065080B7S 650 V, 85 mohm SiC FET 650 85 27 Gen 3 175 No D2PAK-7L
UF3C065080K3S 650 V, 80 mohm SiC FET 650 80 31 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UF3C065080K4S 650 V, 80 mohm SiC FET 650 80 31 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UF3C065080T3S 650 V, 80 mohm SiC FET 650 80 31 Gen 3 175 Yes TO-220-3L
UF3C120040K3S 1200 V, 35 mohm SiC FET 1,200 35 65 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UF3C120040K4S 1200 V, 35 mohm SiC FET 1,200 35 65 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UF3C120080B7S 1200 V, 85 mohm SiC FET 1,200 85 28.8 Gen 3 175 No D2PAK-7L
UF3C120080K3S 1200 V, 80 mohm SiC FET 1,200 80 33 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UF3C120080K4S 1200 V, 80 mohm SiC FET 1,200 80 33 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UF3C120150B7S 1200 V, 150 mohm SiC FET 1,200 150 17 Gen 3 175 No D2PAK-7L
UF3C120150K4S 1200 V, 150 mohm SiC FET 1,200 150 18.4 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UF3C120400B7S 1200 V, 410 mohm SiC FET 1,200 410 7.6 Gen 3 175 Yes D2PAK-7L
UF3C120400K3S 1200 V, 410 mohm SiC FET 1,200 410 7.6 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UF3C170400B7S 1700 V, 410 mohm SiC FET 1,700 410 7.6 Gen 3 175 Yes D2PAK-7L
UF3C170400K3S 1700 V, 410 mohm SiC FET 1,700 410 7.6 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UF3SC065007K4S 650 V, 6.7 mohm SiC FET 650 7 120 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UF3SC065030B7S 650 V, 27 mohm SiC FET 650 27 62 Gen 3 175 No D2PAK-7L
UF3SC065040B7S 650 V, 42 mohm SiC FET 650 42 43 Gen 3 175 No D2PAK-7L
UF3SC120009K4S 1200 V, 8.6 mohm SiC FET 1,200 9 120 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UF3SC120016K3S 1200 V, 16 mohm SiC FET 1,200 16 107 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UF3SC120016K4S 1200 V, 16 mohm SiC FET 1,200 16 107 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UF3SC120040B7S 1200 V, 35 mohm SiC FET 1,200 35 47 Gen 3 175 No D2PAK-7L
UF4SC120023B7S 1200 V, 23 mohm SiC FET 1,200 23 72 Gen 4 175 Yes D2PAK-7L
UF4SC120030B7S 1200 V, 30 mohm SiC FET 1,200 30 56 Gen 4 175 Yes D2PAK-7L
UF4C120053K3S 1200 V, 53 mohm SiC FET 1,200 53 34 Gen 4 175 No TO-247-3L
UF4C120053K4S 1200 V, 53 mohm SiC FET 1,200 53 34 Gen 4 175 No TO-247-4L
UF4C120070K3S 1200 V, 72 mohm SiC FET 1,200 72 27.5 Gen 4 175 No TO-247-3L
UF4C120070K4S 1200 V, 72 mohm SiC FET 1,200 72 27.5 Gen 4 175 No TO-247-4L
UF4C120053B7S 1200 V, 53 mohm SiC FET 1,200 53 34 Gen 4 175 Yes D2PAK-7L
UF4C120070B7S 1200 V, 72 mohm SiC FET 1,200 72 25.7 Gen 4 175 Yes D2PAK-7L
UF4SC120023K4S 1200 V, 23 mohm SiC FET 1,200 23 53 Gen 4 175 No TO-247-4L
UF4SC120030K4S 1200 V, 30 mohm SiC FET 1,200 30 53 Gen 4 175 No TO-247-4L
UJ3C065030B3 650 V, 27 mohm SiC FET 650 27 65 Gen 3 175 Yes D2PAK-3L
UJ3C065030K3S 650 V, 27 mohm SiC FET 650 27 85 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3C065030T3S 650 V, 27 mohm SiC FET 650 27 85 Gen 3 175 Yes TO-220-3L
UJ3C065080B3 650 V, 80 mohm SiC FET 650 80 25 Gen 3 175 Yes D2PAK-3L
UJ3C065080K3S 650 V, 80 mohm SiC FET 650 80 31 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3C065080T3S 650 V, 80 mohm SiC FET 650 80 31 Gen 3 175 Yes TO-220-3L
UJ3C120040K3S 1200 V, 35 mohm SiC FET 1,200 35 65 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3C120070K3S 1200 V, 70 mohm SiC FET 1,200 70 34.5 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3C120070K4S 1200 V, 70 mohm SiC FET 1,200 70 34.5 Gen 3 175 Yes TO-247-4L
UJ3C120080K3S 1200 V, 80 mohm SiC FET 1,200 80 33 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3C120150K3S 1200 V, 150 mohm SiC FET 1,200 150 18.4 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ4C075018K3S 750 V, 18 mohm SiC FET 750 18 81 Gen 4 175 Yes TO-247-3L
UJ4C075018K4S 750 V, 18 mohm SiC FET 750 18 81 Gen 4 175 Yes TO-247-4L
UJ4C075023B7S 750 V, 23 mohm SiC FET 750 23 64 Gen 4 175 No D2PAK-7L
UJ4C075023K3S 750 V, 23 mohm SiC FET 750 23 66 Gen 4 175 Yes TO-247-3L
UJ4C075023K4S 750 V, 23 mohm SiC FET 750 23 66 Gen 4 175 Yes TO-247-4L
UJ4C075033B7S 750 V, 33 mohm SiC FET 750 33 44 Gen 4 175 No D2PAK-7L
UJ4C075033K3S 750 V, 33 mohm SiC FET 750 33 47 Gen 4 175 Yes TO-247-3L
UJ4C075033K4S 750 V, 33 mohm SiC FET 750 33 47 Gen 4 175 Yes TO-247-4L
UJ4C075044B7S 750 V, 44 mohm SiC FET 750 44 35.6 Gen 4 175 No D2PAK-7L
UJ4C075044K3S 750 V, 44 mohm SiC FET 750 44 37.4 Gen 4 175 Yes TO-247-3L
UJ4C075044K4S 750 V, 44 mohm SiC FET 750 44 37.4 Gen 4 175 Yes TO-247-4L
UJ4C075060B7S 750 V, 58 mohm SiC FET 750 58 25.8 Gen 4 175 Yes D2PAK-7L
UJ4C075060K3S 750 V, 58 mohm SiC FET 750 58 28 Gen 4 175 Yes TO-247-3L
UJ4C075060K4S 750 V, 58 mohm SiC FET 750 58 28 Gen 4 175 Yes TO-247-4L
UJ4SC075005L8S 750 V, 5.4 mohm SiC FET 750 5.4 120 Gen 4 175 No TOLL
UJ4SC075006K4S 750 V, 5.9 mohm SiC FET 750 5.9 120 Gen 4 175 No TO-247-4L
UJ4SC075008L8S 750 V, 8.6 mohm SiC FET 750 8.6 106 Gen 4 175 No TOLL
UJ4SC075009B7S 750 V, 9 mohm SiC FET 750 9 106 Gen 4 175 No D2PAK-7L
UJ4SC075009K4S 750 V, 9 mohm SiC FET 750 9 106 Gen 4 175 No TO-247-4L
UJ4SC075011B7S 750 V, 11 mohm SiC FET 750 11 104 Gen 4 175 No D2PAK-7L
UJ4SC075011K4S 750 V, 11 mohm SiC FET 750 11 104 Gen 4 175 No TO-247-4L
UJ4SC075018B7S 750 V, 18 mohm SiC FET 750 18 72 Gen 4 175 No D2PAK-7L
UJ4SC075018L8S 750 V, 18 mohm SiC FET 750 18 53 Gen 4 175 No TOLL

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