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Date de disponibilité :
Les JFET en carbure de silicium (SiC) de Qorvo sont des transistors JFET à haute performance, normalement activés, de 650 à 1700 V, avec une résistance à l'activation ultra-faible (RDS(on)) aussi basse que 25 mohms.
La charge de grille (QG) est également faible, ce qui permet une faible conduction et une perte de commutation réduite.
Caractéristiques essentielles :
Applications typiques :
Références et spécifications :
Part # | Description | VDS Max V |
RDS(on) Typ @ 25C mohm |
ID Max A |
Generation | Tj Max °C |
Automotive Qualification | Package Type |
UF3N170400B7S | 1700 V, 400 mohm Normally-On SiC JFET | 1,700 | 400 | 6.8 | Gen 3 | 175 | Yes | D2PAK-7L |
UJ3N065025K3S | 650 V, 25 mohm Normally-On SiC JFET | 650 | 25 | 85 | Gen 3 | 175 | Yes | TO-247-3L |
UJ3N065080K3S | 650 V, 80 mohm Normally-On SiC JFET | 650 | 80 | 32 | Gen 3 | 175 | Yes | TO-247-3L |
UJ3N120035K3S | 1200 V, 35 mohm Normally-On SiC JFET | 1,200 | 35 | 63 | Gen 3 | 175 | Yes | TO-247-3L |
UJ3N120065K3S | 1200 V, 66 mohm Normally-On SiC JFET | 1,200 | 66 | 34 | Gen 3 | 175 | Yes | TO-247-3L |
UJ3N120070K3S | 1200 V, 70 mohm Normally-On SiC JFET | 1,200 | 70 | 33.5 | Gen 3 | 175 | Yes | TO-247-3L |