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Diodes MPS (Merged-Pin-Schottky) en carbure de silicium (SiC) de 650 à 1700 V : Série UJ3D Agrandir l'image

SiC Diode MPS (Merged-Pin-Schottky) en carbure de silicium (SiC) de 650 à 1700 V : Série UJ3D | QORVO

Rendement plus élevé, des boîtiers standard à trous traversants (y compris Kelvin) et des boîtiers pour montage en surface, avec un excellent rapport coût-efficacité.

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Description

Les diodes en carbure de silicium (SiC) de Qorvo sont des diodes Merged-PiN-Schottky (MPS) de haute performance avec d'excellentes caractéristiques IFSM (surge).

Avec une charge de récupération inverse nulle et une température de jonction maximale de 175°C, ces diodes Schottky de 650 V, 1200 V et 1700 V conviennent parfaitement aux systèmes d'alimentation à haute fréquence et à haut rendement avec des exigences minimales en matière de refroidissement.

Caractéristiques essentielles :

  • Excellent classement IFSM (surge) de tous les fournisseurs
  • Résistance thermique élevée
  • Liaison frittée à l'Ag
  • Image de mérite VF*Qc la meilleure de sa catégorie
  • Courants nominaux élevés : 25 A / 1700 V, 100 A / 1200 V, 200 A / 650 V
  • Pas de récupération à l'envers ou à l'endroit
  • Qualifié AEC-Q101

Applications typiques :

  • Convertisseurs de puissance
  • Entraînements de moteurs industriels
  • Alimentations à découpage
  • Modules de correction du facteur de puissance

Références et spécifications :

Part # Description VDS Max
V
IF Typ
A
QC Typ
nC
VF Typ @ 25C
V
Generation Tj Max
°C
Automotive Qualification Package Type
UJ3D06504TS 4 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 650 4 9.3 1.5 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D06506TS 6 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 650 6 14.5 1.5 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D06508TS 8 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 650 8 19 1.5 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D06510TS 10 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 650 10 23 1.5 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D06512TS 12 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 650 12 29 1.5 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D06516TS 16 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 650 16 38 1.5 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D06520KSD 20 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Dual Diode 650 20 2x23 1.5 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3D06520TS 20 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 650 20 46 1.5 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D06530TS 30 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 650 30 72 1.5 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D06560KSD 60 A, 650 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Dual Diode 650 60 2x72 1.5 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3D1202TS 2 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 1,200 2 12 1.4 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D1205TS 5 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 1,200 5 27 1.4 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D1210K2 10 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 1,200 10 51 1.4 Gen 3 175 Yes TO-247-2L
UJ3D1210KS 10 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 1,200 10 51 1.4 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3D1210KSD 10 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Dual Diode 1,200 10 2x27 1.4 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3D1210TS 10 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 1,200 10 51 1.4 Gen 3 175 Yes TO-220-2L
UJ3D1220K2 20 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 1,200 20 83 1.52 Gen 3 175 Yes TO-247-2L
UJ3D1220KSD 20 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Dual Diode 1,200 20 2x51 1.4 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3D1250K 50 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 1,200 50 240 1.5 Gen 3 175 Yes TO-247-3L
UJ3D1250K2 50 A, 1200 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 1,200 50 240 1.5 Gen 3 175 Yes TO-247-2L
UJ3D1725K2 25 A, 1700 V SiC Merged PiN-Schottky (MPS) Diode 1,700 25 184 1.54 Gen 3 175 Yes TO-247-2L

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