Description
Le SSD M.2 MTE712A de Transcend est un lecteur auto-crypteur (SED) conforme aux normes TCG Opal 2.0. Les données sont protégées grâce au cryptage matériel AES 256 bits et aux permissions spécifiques au secteur LBA (Logical Block Address).
Le MTE712A est doté d'une mémoire flash 3D NAND à 112 couches et de l'interface PCI Express (PCIe) Gen 4 x4, ce qui lui permet d'atteindre des vitesses de transfert jamais vues auparavant. Son cache DRAM intégré permet des vitesses aléatoires plus rapides tandis que le circuit imprimé gold fingers de 30µ", la technologie Corner Bond et la résistance anti-soufre garantissent sa fiabilité dans des conditions difficiles. Le MTE712A est entièrement testé en interne, fonctionnant de manière stable dans une température de fonctionnement étendue allant de -20℃~75℃.
Transcend propose également le MTE712A-I avec des capacités de température large (-40℃~ 85℃) pour assurer une fonctionnalité soutenue, une endurance améliorée et une fiabilité optimale dans les applications critiques.
Caractéristiques :
- Prise en charge de la commande NVM
- Technologie de mise en cache SLC
- Régulation thermique dynamique
- Fonctionnalité LDPC ECC (Error Correction Code) intégrée
- Niveau d'usure global avancé et gestion des blocs pour une fiabilité maximale
- Collecte avancée des déchets
- Fonction S.M.A.R.T. améliorée pour une durabilité accrue
- Commande TRIM pour des performances supérieure
- Prend en charge le logiciel de gestion de données Transcend Elite
- Conforme aux spécifications TCG Opal et aux normes IEEE 1667
Caractéristiques techniques :
- Conforme aux normes RoHS 2.0
- Conforme à la spécification NVM Express 1.4
- Conforme à la spécification PCI Express 4.0
- Facteur de forme M.2 peu encombrant (80 mm) - idéal pour les appareils informatiques mobiles
- Interface PCIe Gen 4 x4
- Mémoire cache DDR4 DRAM intégrée
- Endurance : 3000 cycles P/E (cycles de Programmation/Effacement) garantis
- Les composants clés sont renforcés par la procédure d’assemblage Corner Bond
- Connecteur doré 30µ"
- Mise en place d'une technologie anti-soufre pour éviter la sulfuration dans l'environnement
- Power Shield (PS) pour garantir l'intégrité du transfert des données et minimiser la corruption des données dans le lecteur pendant une panne de courant inhabituelle.
- Temp. élargie (-20°C ~ 75°C) et Temp. étendue (-40°C ~ 85°C) sont disponibles
Spécifications :
| Appearance |
Dimensions |
80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14") |
| Weight |
10 g (0.35 oz) |
| M.2 Type |
2280-D2-M (Double-sided) |
| Form Factor |
M.2 2280 |
| Interface |
Bus Interface |
NVMe PCIe Gen4 x4 |
| Storage |
Capacity |
256 GB / 512 GB / 1 TB / 2 TB |
| Flash Type |
112-layer 3D NAND flash |
Operating
Environment |
Operating Voltage |
3.3V±5% |
| Operating Temperature |
Extended Temp.
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
Wide Temp.
-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F) |
| Storage Temperature |
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humidity |
5% ~ 95% |
| Shock |
1500 G, 0.5 ms, 3 axis |
| Vibration (Operating) |
20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency) |
| Power |
Power Consumption (Operation) |
5.6 watt(s) |
| Power Consumption (IDLE) |
1.28 watt(s) |
| Performance |
Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) |
Read: up to 3,800 MB/s Write: up to 3,200 MB/s |
| 4K Random Read/Write (IOmeter) |
Read: up to 350,000 IOPS Write: up to 330,000 IOPS |
| Mean Time Between Failures (MTBF) |
3,000,000 hour(s) |
| Terabytes Written (TBW) |
up to 4,000 TBW |
| Drive Writes Per Day (DWPD) |
1.84 (3 yrs) |
