Close
SSD M2, de 80Gb à 640Gb, NAND : MTE560I Agrandir l'image

SSD M2, de 80Gb à 640Gb, NAND : MTE560I | TRANSCEND

Son cache DRAM intégré permet des vitesses de lecture et d'écriture aléatoires rapides, et améliore l'endurance du disque. En outre, le circuit imprimé à doigts d'or de 30µ", la technologie Corner Bond et les résistances anti-soufre garantissent sa fiabilité dans des conditions difficiles.

Plus de détails

Téléchargement

Description

Le SSD M.2 MTE560I de Transcend est doté d'une interface PCI Express (PCIe) Gen 4 x4, de 112 couches de flash 3D NAND et de la technologie SLC Mode, offrant des vitesses soutenues élevées et une durabilité de niveau SLC. Son cache DRAM intégré permet des vitesses de lecture et d'écriture aléatoires rapides, et améliore l'endurance du disque. En outre, le circuit imprimé à doigts d'or de 30µ", la technologie Corner Bond et les résistances anti-soufre garantissent sa fiabilité dans des conditions difficiles.

Le MTE560I de Transcend est également testé à 100% en chambre en interne pour des températures de fonctionnement larges de -40℃~85℃.

En outre, le MTE560I est un lecteur auto-crypteur (SED) conforme aux normes TCG (Trusted Computing Group) 2.0. Les données sont protégées à l'aide du cryptage AES 256 bits basé sur le matériel et des autorisations spécifiques au secteur LBA (Logical Block Address).

Caractéristiques :

  • Prise en charge de la commande NVM
  • Régulation thermique dynamique
  • Fonctionnalité LDPC ECC (Error Correction Code) intégrée
  • Niveau d'usure global avancé et gestion des blocs pour une fiabilité maximale
  • Collecte avancée des déchets
  • Rafraîchissement statique des données
  • Fonction S.M.A.R.T. améliorée pour une durabilité accrue
  • Commande TRIM pour des performances supérieure
  • Commande NCQ pour des performances optimales
  • Prend en charge le logiciel de gestion de données Transcend Elite
  • Conforme aux spécifications TCG Opal et aux normes IEEE 1667

Caractéristiques techniques :

  • Conforme aux normes RoHS 2.0
  • Conforme à la spécification NVM Express 1.4
  • Conforme à la spécification PCI Express 4.0
  • Facteur de forme M.2 peu encombrant (80 mm) - idéal pour les appareils informatiques mobiles
  • Interface PCIe Gen 4 x4
  • Mémoire cache DDR4 DRAM intégrée
  • NAND Flash 3D de haute qualité et mode SLC pour une endurance et une fiabilité exceptionnelles
  • Les composants clés sont renforcés par la procédure d’assemblage Corner Bond
  • Connecteur doré 30µ"
  • Mise en place d'une technologie anti-soufre pour éviter la sulfuration dans l'environnement
  • Power Shield (PS) pour garantir l'intégrité du transfert des données et minimiser la corruption des données dans le lecteur pendant une panne de courant inhabituelle.
  • Sécurité de fonctionnement garantie dans une large plage de température (de -40℃ à 85℃)

Spécifications :

Appearance Dimensions 80.0 mm x 22.0 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
Weight 9 g (0.32 oz)
M.2 Type 2280-D2-M (Double-sided)
Form Factor M.2 2280
Interface Bus Interface NVMe PCIe Gen4 x4
Storage Capacity 80 GB / 160 GB / 240 GB / 320 GB / 640 GB
Flash Type 112-layer 3D NAND flash (SLC mode)
Operating Environment Operating Voltage 3.3V±5%
Operating Temperature Wide Temp.
-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
Storage Temperature -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
Humidity 5% ~ 95%
Shock 1500 G, 0.5 ms, 3 axis
Vibration (Operating) 20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2,000 Hz (frequency)
Power Power Consumption (Operation) 5 watt(s)
Power Consumption (IDLE) 1.25 watt(s)
Performance Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) Read: up to 3,800 MB/s
Write: up to 3,100 MB/s
4K Random Read/Write (IOmeter) Read: up to 190,000 IOPS
Write: up to 320,000 IOPS
Mean Time Between Failures (MTBF) 3,000,000 hour(s)
Terabytes Written (TBW) up to 9,500 TBW
Drive Writes Per Day (DWPD) 54.2 (3 yrs)

30 autres produits dans la même catégorie

Close