Description
Le SSD M.2 MTE670T de Transcend est doté de la technologie 3D NAND la plus récente, qui se caractérise par la superposition verticale de 112 couches de puces 3D NAND Flash. Par rapport à la technologie 3D NAND à 96 couches, cette avancée en termes de densité améliore considérablement l'efficacité du stockage. Le MTE670T incorpore l'interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4, il est conforme aux spécifications NVM Express (NVMe) 1.3 et atteint des vitesses de transfert exceptionnelles. Il est équipé d’un PCB dont la partie connectique est dorée sur une épaisseur de 30µ". Il utilise également la technologie de liant d’angle Corner Bond.
Le MTE670T est entièrement testé en interne afin de garantir une fiabilité irréprochable dans les applications critiques, avec un indice d'endurance de 3000 cycles de programme/effacement et une plage de température de fonctionnement étendue de -20℃ à 75℃.
Transcend propose également le M MTE670T-I avec des temperatures de fonctionnement étendues (-40℃ ~ 85℃) pour garantir une fonctionnalité durable, une endurance améliorée et une fiabilité optimale dans les applications critiques.
Caractéristiques :
- Prise en charge de la commande NVM
- Technologie de mise en cache SLC
- Régulation thermique dynamique
- Fonctionnalité LDPC ECC (Error Correction Code) intégrée
- Niveau d'usure global avancé et gestion des blocs pour une fiabilité maximale
- Collecte avancée des déchets
- Fonction S.M.A.R.T. améliorée pour une durabilité accrue
- Commande TRIM pour des performances supérieure
Caractéristiques techniques :
- Conforme aux normes RoHS 2.0
- Conforme à la spécification NVM Express 1.3
- Conforme à la spécification PCI Express 3.1
- Facteur de forme M.2 peu encombrant (80 mm) - idéal pour les appareils informatiques mobiles
- Interface PCIe Gen 3 x4
- Endurance : 3000 cycles P/E (cycles de Programmation/Effacement) garantis
- Les composants clés sont renforcés par la procédure d’assemblage Corner Bond
- Connecteur doré 30µ"
- Mise en place d'une technologie anti-soufre pour éviter la sulfuration dans l'environnement
- Power Shield (PS) pour garantir l'intégrité du transfert des données et minimiser la corruption des données dans le lecteur pendant une panne de courant inhabituelle.
- Temp. élargie (-20°C ~ 75°C) et Temp. étendue (-40°C ~ 85°C) sont disponibles
Spécifications :
| Appearance |
Dimensions |
80 mm x 22 mm x 2.23 mm (3.15" x 0.87" x 0.08") |
| Weight |
9 g (0.32 oz) |
| Form Factor |
M.2 |
| M.2 Type |
2280-S2-M (Single-sided) |
| Interface |
Bus Interface |
NVMe PCIe Gen3 x4 |
| Storage |
Flash Type |
112-layer 3D NAND flash |
| Capacity |
128 GB / 256 GB / 512 GB / 1 TB |
Operating
Environment |
Operating Voltage |
3.3V±5% |
| Operating Temperature |
Extended Temp.
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
Wide Temp.
-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F) |
| Storage Temperature |
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humidity |
5% ~ 95% |
| Shock |
1500 G, 0.5 ms, 3 axis |
| Vibration (Operating) |
20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2,000 Hz (frequency) |
| Power |
Power Consumption (Operation) |
3.1 watt(s) |
| Power Consumption (IDLE) |
0.4 watt(s) |
| Performance |
Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) |
Read: up to 2,100 MB/s
Write: up to 1,600 MB/s |
| 4K Random Read/Write (IOmeter) |
Read: up to 150,000 IOPS
Write: up to 280,000 IOPS |
| Mean Time Between Failures (MTBF) |
3,000,000 hour(s) |
| Terabytes Written (TBW) |
up to 960 TBW |
| Drive Writes Per Day (DWPD) |
0.88 (3 yrs) |
