Description
Le SSD Transcend au format M.2 MTE662A est doté de l'interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4. Il est conforme à la spécification NVM Express (NVMe) 1.3 et atteint des vitesses de transfert exceptionnelles.
Le MTE662A est conçu à partir de la technologie 3D NAND de dernière génération, qui se caractérise par l'empilement vertical de 96 couches de puces 3D NAND. Par rapport à la technologie 3D NAND à 64 couches, cette avancée en termes de densité améliore considérablement l'efficacité du stockage, tandis que le cache DRAM intégré accélère les accès aux données.
Le MTE662A est conforme aux normes TCG Opal 2.0. Les données sont sécurisées par cryptage et autorisation hiérarchique. La durabilité est renforcée grâce à un PCB équipé de broches dorées de 30µ" et de la technologie de liant d'angle (Corner Bond). Le MTE662A est entièrement testé en interne pour garantir sa fiabilité dans les applications critiques. Il affiche une endurance de 3000 cycles de programmation/effacement ainsi qu'une plage de température de fonctionnement étendue de -20℃ à 75℃.
Caractéristiques :
- Prise en charge de la commande NVM
- Technologie de mise en cache SLC
- Régulation thermique dynamique
- Fonctionnalité LDPC ECC (Error Correction Code) intégrée
- Niveau d'usure global avancé et gestion des blocs pour une fiabilité maximale
- Collecte avancée des déchets
- Fonction S.M.A.R.T. améliorée pour une durabilité accrue
- Prend en charge le logiciel de gestion de données Transcend Elite
- Conforme aux spécifications TCG Opal et aux normes IEEE 1667
Caractéristiques techniques :
- Conforme aux normes RoHS 2.0
- Conforme à la spécification NVM Express 1.3
- Conforme à la spécification PCI Express 3.1
- Facteur de forme M.2 peu encombrant (80 mm) - idéal pour les appareils informatiques mobiles
- Contrôleur 8-canaux (8CH) pour des performances ultra élevées
- Interface PCIe Gen 3 x4
- Mémoire cache DDR4 DRAM intégrée
- Endurance : 3000 cycles P/E (cycles de Programmation/Effacement) garantis
- Les composants clés sont renforcés par la procédure d’assemblage Corner Bond
- Connecteur doré 30µ"
- Power Shield (PS) pour garantir l'intégrité du transfert des données et minimiser la corruption des données dans le lecteur pendant une panne de courant inhabituelle.
- Fiabilité opérationnelle assurée dans une plage de température étendue (de -20°C à 75°C)
Spécifications :
| Appearance |
Dimensions |
80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14") |
| Weight |
9 g (0.32 oz) |
| M.2 Type |
2280-D2-M (Double-sided) |
| Form Factor |
M.2 2280 |
| Interface |
Bus Interface |
NVMe PCIe Gen3 x4 |
| Storage |
Capacity |
128 GB / 256 GB / 512 GB / 1 TB / 2 TB |
| Flash Type |
3D NAND flash |
| Operating Environment |
Operating Voltage |
3.3V±5% |
| Operating Temperature |
Extended Temp.
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) |
| Storage Temperature |
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humidity |
5% ~ 95% |
| Shock |
1500 G, 0.5 ms, 3 axis |
| Vibration (Operating) |
20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency) |
| Power |
Power Consumption (Operation) |
7.0 watt(s) |
| Power Consumption (IDLE) |
1.0 watt(s) |
| Performance |
Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) |
Read: up to 3,500 MB/s Write: up to 2,700 MB/s |
| 4K Random Read/Write (IOmeter) |
Read: up to 340,000 IOPS Write: up to 310,000 IOPS |
| Mean Time Between Failures (MTBF) |
3,000,000 hour(s) |
| Terabytes Written (TBW) |
up to 4,400 TBW |
| Drive Writes Per Day (DWPD) |
2 (3 yrs) |
