Description
Le SSD Transcend M.2 MTE662T2 est doté de l'interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x1. Il est compatible avec les spécifications NVM Express (NVMe) 1.3 pour atteindre des vitesses de transfert jamais vues auparavant. Le MTE662T2est doté de la technologie 3D NAND de pointe, qui permet d'empiler verticalement 96 couches de puces flash 3D NAND. Par rapport à la technologie NAND 3D à 64 couches, cette percée en matière de densité améliore considérablement l'efficacité du stockage, tandis que son cache DRAM intégré permet un accès plus rapide.
Le MTE662T2 dispose de broches dorées de 30µ d'épaisseur et de la technologie de liant d'angle. Il est entièrement testé en interne pour garantir la fiabilité des applications critiques, avec une endurance de 3000 cycles de programmation/effacement ainsi qu'une plage étendue de température de fonctionnement comprise entre -20℃ et 75℃.
Caractéristiques :
- Prise en charge de la commande NVM
- Technologie de mise en cache SLC
- Régulation thermique dynamique
- Fonctionnalité LDPC ECC (Error Correction Code) intégrée
- Niveau d'usure global avancé et gestion des blocs pour une fiabilité maximale
- Collecte avancée des déchets
- Fonction S.M.A.R.T. améliorée pour une durabilité accrue
- Prend en charge le logiciel de gestion de données Transcend Elite (en option)
Caractéristiques techniques :
- Conforme aux normes RoHS 2.0
- Conforme à la spécification NVM Express 1.3
- Conforme à la spécification PCI Express 3.1
- Facteur de forme M.2 peu encombrant (80 mm) - idéal pour les appareils informatiques mobiles
- Interface PCIe Gen 3 x4
- Mémoire cache DDR4 DRAM intégrée
- Endurance : 3000 cycles P/E (cycles de Programmation/Effacement) garantis
- Les composants clés sont renforcés par la procédure d’assemblage Corner Bond
- Connecteur doré 30µ"
- Mise en place d'une technologie anti-soufre pour éviter la sulfuration dans l'environnement
- Power Shield (PS) pour garantir l'intégrité du transfert des données et minimiser la corruption des données dans le lecteur pendant une panne de courant inhabituelle.
- Fiabilité opérationnelle assurée dans une plage de température étendue (de -20°C à 75°C)
Spécifications :
| Apparence |
Dimensions |
80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14") |
| Poids |
9 g (0.32 oz) |
| Facteur de forme |
M.2 |
| Type M.2 |
2280-D2-M (Double-face) |
| Interface |
Interface bus |
NVMe PCIe Gen3 x4 |
| Stockage |
Type Flash |
3D NAND flash |
| Capacité |
512 Go / 1 To / 2 To |
| Environnement d'exploitation |
Tension de fonctionnement |
3.3V±5% |
| Température de fonctionnement |
Temp. Elargie
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) |
| Température de stockage |
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humidité |
5% ~ 95% |
| Choc |
1500 G, 0.5 ms, 3 axes |
| Vibration (fonctionnement) |
20 G (de crête à crête), 7 Hz ~ 2000 Hz (fréquence) |
| Alimentation |
Consommation électrique (opération) |
7.0 watt(s) |
| Consommation électrique (IDLE) |
1.0 watt(s) |
| Performance |
Lecture/écriture séquentielle (CrystalDiskMark, max.) |
Lecture: Jusqu’à 3,500 MB/s
Ecriture: Jusqu’à 2,700 MB/s |
| Lecture/écriture aléatoire 4K (IOmeter, max.) |
Lecture: Jusqu’à 340,000 IOPS
Ecriture: Jusqu’à 355,000 IOPS |
| Temps moyen entre pannes (MTBF) |
3,000,000 heure(s) |
| Téraoctets écrits (Max.) |
4,400 TBW |
| Ecritures de disque par jour (DWPD) |
2 (3 années) |
