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SSD M2, NAND, de 64Gb à 512Gb : MTE652T2 Agrandir l'image

SSD M2, NAND, de 64Gb à 512Gb : MTE652T2 | TRANSCEND

Le MTE652T2 est doté de la toute dernière technologie 3D NAND pour une meilleure efficacité de stockage, de connecteurs dorés de 30µ" et de la technologie de liant d'angle pour une durabilité accrue.

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Description

Le SSD Transcend M.2 MTE652T2 dispose de l'interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4, il est compatible avec les spécifications NVM Express (NVMe) 1.3 et offre des vitesses de transfert inégalées.

Le MTE652T2 est doté de la toute dernière technologie 3D NAND pour une meilleure efficacité de stockage, de connecteurs dorés de 30µ" et de la technologie de liant d'angle pour une durabilité accrue, d'un cache DRAM intégré pour un accès rapide, d'une plage de températures d'utilisation étendue de -20°C à 75°C, et une endurance de 3000 cycles de programmation/effacement pour un fonctionnement à toute épreuve.

Caractéristiques : 

  • Prise en charge de la commande NVM
  • Régulation thermique dynamique
  • Fonctionnalité LDPC ECC (Error Correction Code) intégrée
  • Niveau d'usure global avancé et gestion des blocs pour une fiabilité maximale
  • Collecte avancée des déchets
  • Prend en charge le logiciel de gestion de données Transcend Elite (en option)

Caractéristiques techniques :

  • Conforme aux normes RoHS 2.0
  • Conforme à la spécification NVM Express 1.3
  • Conforme à la spécification PCI Express 3.1
  • Facteur de forme M.2 peu encombrant (80 mm) - idéal pour les appareils informatiques mobiles
  • Interface PCIe Gen 3 x4
  • Mémoire cache DDR3 DRAM intégrée
  • Endurance : 3000 cycles P/E (cycles de Programmation/Effacement) garantis
  • Les composants clés sont renforcés par la procédure d’assemblage Corner Bond
  • Connecteur doré 30µ"
  • Mise en place d'une technologie anti-soufre pour éviter la sulfuration dans l'environnement

Spécifications : 

Verschijning Afmetingen 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
Gewicht 9 g (0.32 oz)
Form factor M.2
M.2  2280-D2-M (Double-sided)
Interface Bus Interface NVMe PCIe Gen3 x4
Opslag Flash Type 3D NAND flash
Capaciteit 64 GB / 128 GB / 256 GB / 512 GB
Werkomgeving Operating voltage 3.3V±5%
Werktemperatuur Extended
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
Opslagtemperatuur -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
Vochtigheid 5% ~ 95%
Shock 1500G, 0,5ms, 3 axis
Vibratie (buiten gebruik) 20 G (Piekwaarden), 7 Hz ~ 2000 Hz (Frequentie)
Power Power consumptie (in gebruik) 3.3 watt(s)
Power consumptie (IDLE) 0.6 watt(s)
Performance Sequentieel Lezen/Schrijven (CrystalDiskMark) Lezen: Tot 2,100 MB/s Schrijven: Tot 1,000 MB/s
4K Random Lezen/Schrijven (IOmeter) Lezen: Tot 190,000 IOPS Schrijven: Tot 290,000 IOPS
Mean Time Between Failures (MTBF) 3,000,000 Uren
Terabytes Written (TBW) Tot 1,080 TBW
Drive Writes Per Day (DWPD) 2 (3 jaar)

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