Description
Le SSD MTE662P M.2 de Transcend est doté de l'interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4, il est compatible avec les spécifications NVM Express (NVMe) 1.3 pour atteindre des vitesses de transfert jamais vues auparavant. Le MTE662P est doté de la technologie 3D NAND de pointe, qui consiste à empiler verticalement 96 couches de puces flash 3D NAND. Par rapport à la technologie 3D NAND à 64 couches, cette avancée en termes de densité améliore considérablement l'efficacité du stockage, tandis que son cache DRAM intégré permet un accès plus rapide.
Doté d'un circuit imprimé avec broches dorées de 30µ" et de la technologie de liant d'angle Corner Bond, le MTE662P est entièrement testé en interne et affiche un taux d'endurance de 3000 cycles de programmation/effacement et une température de fonctionnement étendue de -20°C~75°C. La protection contre la perte de puissance (PLP) incorporé garantit en outre l'intégrité des données dans les applications critiques.
Transcend propose également le MTE662P-I avec une large plage de température (-40℃ ~ 85℃) pour assurer une fonctionnalité durable, une endurance accrue et une fiabilité optimale dans les applications critiques.
Caractéristiques :
- Prise en charge de la commande NVM
- Technologie de mise en cache SLC
- Régulation thermique dynamique
- Fonctionnalité LDPC ECC (Error Correction Code) intégrée
- Niveau d'usure global avancé et gestion des blocs pour une fiabilité maximale
- Collecte avancée des déchets
- Fonction S.M.A.R.T. améliorée pour une durabilité accrue
- Prend en charge le logiciel de gestion de données Transcend Elite (en option)
Caractéristiques techniques :
- Conforme aux normes RoHS 2.0
- Conforme à la spécification NVM Express 1.3
- Conforme à la spécification PCI Express 3.1
- Facteur de forme M.2 peu encombrant (80 mm) - idéal pour les appareils informatiques mobiles
- Interface PCIe Gen 3 x4
- Mémoire cache DDR4 DRAM intégrée
- Endurance : 3000 cycles P/E (cycles de Programmation/Effacement) garantis
- Les composants clés sont renforcés par la procédure d’assemblage Corner Bond
- Connecteur doré 30µ"
- Protection contre les pertes de puissance (PLP) pour éviter la perte de données en cas de panne de courant soudaine.
- Temp. élargie (-20°C ~ 75°C) et Temp. étendue (-40°C ~ 85°C) sont disponibles
Spécifications :
| Appearance |
Dimensions |
80 mm x 22 mm x 3.88 mm (3.15" x 0.87" x 0.15") |
| Weight |
9 g (0.32 oz) |
| Form Factor |
M.2 |
| M.2 Type |
2280-D2-M (Double-sided) |
| Interface |
Bus Interface |
NVMe PCIe Gen3 x4 |
| Storage |
Flash Type |
3D NAND flash |
| Capacity |
128 GB / 256 GB / 512 GB / 1 TB |
Operating
Environment |
Operating Voltage |
3.3V±5% |
| Operating Temperature |
Extended Temp.
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
Wide Temp.
-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F) |
| Storage Temperature |
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| Humidity |
5% ~ 95% |
| Shock |
1500 G, 0.5 ms, 3 axis |
| Vibration (Operating) |
20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency) |
| Power |
Power Consumption (Operation) |
3.4 watt(s) |
| Power Consumption (IDLE) |
1.0 watt(s) |
| Performance |
Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) |
Read: up to 3,400 MB/s
Write: up to 2,300 MB/s |
| 4K Random Read/Write (IOmeter) |
Read: up to 340,000 IOPS
Write: up to 355,000 IOPS |
| Mean Time Between Failures (MTBF) |
3,000,000 hour(s) |
| Terabytes Written (TBW) |
up to 2,200 TBW |
| Drive Writes Per Day (DWPD) |
2 (3 yrs) |
