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Front-End Module RF à bande ISM sub-GHz 868 MHz / 915MHz : 8TR111-DWF Agrandir l'image

Front-End Module RF à bande ISM sub-GHz 868 MHz / 915MHz : 8TR111-DWF | BeRex

Ce dispositif est idéal pour les opérations Sigfox à 24dBm.

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Documentation 8TR1111-DWF

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Description

Le 8TR1111 est optimisé pour un fonctionnement sur batterie avec une efficacité accrue, fonctionnant sur une large plage d'alimentation de 2,7V à 3,6V, adapté à une large gamme d'applications, y compris les systèmes sans fil alimentés par batterie.

Le 8TR1111 combine un amplificateur de puissance (PA), un bypass et un détecteur de puissance TX directionnel.

  • Le dispositif est également intégré avec des réseaux de filtrage et des circuits d'adaptation d'entrée. L'adaptation de sortie est externe.

Ce dispositif est idéal pour les opérations Sigfox à 24dBm.

Spécifications :

Table 1: 8TR1111 Wafer Information
Item Description
Wafer Diameter 200mm
Technology 180nm CMOS
Table 2: 8TR1111 DIE Information
Item Description
DIE ID C51011
DIE Size 1650um X 1150um
Pads Size 70um X 70um, 78um X 78um, 137um X 70um, 206um X 70um
Pads Opening 66um X 66um, 74um X 74um, 133um X 66um, 202um X 66um
Wafer Map Electronic Text File
Manufacturing Facility HHGrace
Wafer Thickness Maximum 725um
Back Grind Options Contact BeRex
Back Plane Connection NA
Backside preparation / metallization NA
Passivation Material TEOS+SIN
Passivation Thickness TEOS-6K+SIN-6K
Bond Pad Material Al
Bond Pad Thickness 4um
Good Die per Wafer Contact BeRex
Active Circuits Underneath the Bond Pad No

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