Diode Schottky SiC ( 650 V - 1700 V ): série SD3, SD4, SD5 | SMC

Les puces de redresseur Schottky en carbure de silicium (SiC) sont des composants électroniques avancés conçus pour des applications de puissance. Grâce à leur technologie SiC, elles offrent une performance supérieure en termes de récupération inverse et de commutation rapide, ce qui les rend particulièrement adaptées aux opérations à haute fréquence. Ces puces sont idéales pour les environnements exigeants où la fiabilité et l'efficacité énergétique sont cruciales.

Caractéristiques principales

• Tension de crête répétitive inverse (V_RRM) : 650 V à 1700 V
• Tension de crête de surtension inverse (V_RSM) : 650 V à 1700 V
• Tension de blocage en courant continu (V_R) : 650 V à 1700 V
• Courant continu maximal (I_F) : 3 A à 66 A
• Courant de surtension répétitif de crête (I_FRM) : 23 A à 168 A
• Courant de surtension non répétitif de cycle unique (I_FSM) : 46 A à 300 A
• Température de jonction et de stockage (T_J, T_stg) : -55 à +175 °C
• Température maximale de traitement (T_Proc) : 325 °C

Applications

• Convertisseurs de puissance
• Alimentations à découpage
• Applications à haute fréquence
• Circuits de protection contre les surtensions

Avantages

• Récupération inverse nulle : Réduit les pertes de commutation et améliore l'efficacité globale du système.
• Récupération avant nulle : Minimise les pertes de conduction, augmentant ainsi l'efficacité énergétique.
• Comportement de commutation indépendant de la température : Assure une performance stable sur une large plage de températures, augmentant la fiabilité.
• Commutation extrêmement rapide : Idéal pour les applications à haute fréquence, réduisant les délais de commutation.
• Coefficient de température positif sur V_F : Améliore la fiabilité et la sécurité de l'appareil, réduisant les risques de défaillance.

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