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Date de disponibilité :
Les MOSFETs de puissance en carbure de silicium (SiC) des séries SPM2 et SPM3 sont conçus pour des applications nécessitant une haute efficacité et une performance fiable. Ces composants sont idéaux pour les systèmes de conversion d'énergie haute tension et les applications de commutation rapide. Ils offrent une combinaison unique de haute tension de blocage et de faible résistance à l'état passant, ce qui les rend parfaits pour les environnements exigeants.
Part Number
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VRWM(V)
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Rds(ON)(mΩ)
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ID(A)
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VGS(th)(V)
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SPM2-1200-0080A | 1200 | 80 | 41 | 2.8 |
SPM2-1200-0120A | 1200 | 133 | 21 | 2.9 |
SPM2-1200-0160A | 1200 | 175 | 17 | 2.8 |
SPM3-1200-0016A | 1200 | 16 | 120 | 2.5 |
SPM3-1200-0025A | 1200 | 25 | 77 | 2.5 |
SPM3-1200-0040A | 1200 | 40 | 65 | 2.5 |