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Transistor Mosfet ( 1200 V ): série SPM | SMC

Les MOSFETs de puissance en carbure de silicium (SiC) des séries SPM2 et SPM3 sont conçus pour des applications nécessitant une haute efficacité et une performance fiable.

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Description

Les MOSFETs de puissance en carbure de silicium (SiC) des séries SPM2 et SPM3 sont conçus pour des applications nécessitant une haute efficacité et une performance fiable. Ces composants sont idéaux pour les systèmes de conversion d'énergie haute tension et les applications de commutation rapide. Ils offrent une combinaison unique de haute tension de blocage et de faible résistance à l'état passant, ce qui les rend parfaits pour les environnements exigeants.

Caractéristiques principales

  • Tension de blocage élevée avec faible résistance à l'état passant
  • Commutation rapide avec faibles capacités
  • Facile à mettre en parallèle et simple à piloter
  • Robustesse en avalanche
  • Résistant au latch-up
  • Métallisation arrière en argent

Applications

  • Onduleurs solaires
  • Alimentations à découpage
  • Convertisseurs DC/DC haute tension
  • Chargeurs de batteries
  • Commandes de moteurs
  • Applications de puissance pulsée

Avantages

  • Efficacité énergétique accrue grâce à une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide
  • Fiabilité améliorée avec une robustesse en avalanche et une résistance au latch-up
  • Flexibilité de conception avec une facilité de mise en parallèle et de pilotage
  • Durabilité grâce à une métallisation arrière en argent

Spécifications et modèles disponibles :

Part Number
 
VRWM(V)
 
Rds(ON)(mΩ)
 
ID(A)
 
VGS(th)(V)
 
SPM2-1200-0080A 1200 80 41 2.8
SPM2-1200-0120A 1200 133 21 2.9
SPM2-1200-0160A 1200 175 17 2.8
SPM3-1200-0016A 1200 16 120 2.5
SPM3-1200-0025A 1200 25 77 2.5
SPM3-1200-0040A 1200 40 65 2.5

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