Les SiC FET de Qorvo : une avancée dans la Commutation Haute Performance

Vitesse et Efficacité Inégalées

Les FET SiC de Qorvo se distinguent par leur vitesse de commutation exceptionnelle, surpassant tous les autres dispositifs de leur catégorie. Cette rapidité est accompagnée de pertes de commutation réduites, ce qui se traduit par un rendement énergétique supérieur. Les ingénieurs peuvent désormais concevoir des systèmes plus compacts sans compromettre la performance.

Conception Innovante

Au cœur de ces FET réside une configuration cascode unique, combinant un JFET SiC rapide avec un Si-MOSFET spécialement optimisé. Cette innovation permet aux dispositifs de fonctionner avec une commande de grille standard, simplifiant ainsi l’intégration dans des circuits existants.

Robustesse et Fiabilité

La majorité des FET SiC de Qorvo sont qualifiés AEC-Q101, garantissant leur fiabilité dans des conditions extrêmes. Ils sont disponibles dans une variété de tensions, de 650 V à 1700 V, et offrent les options de RDS(on) les plus faibles du marché, allant de 6 à 410 mohms.

Applications :

Nouvelle Génération et Polyvalence

La quatrième génération de FET SiC de Qorvo, avec des options de 750 V et 1200 V, apporte encore plus de flexibilité aux concepteurs. Avec une excellente performance de la diode de corps (Vf < 2V) et la possibilité de commander avec n’importe quelle tension de grille Si ou SiC, ces FET sont prêts à répondre aux exigences les plus pointues.

Des Boîtiers pour Toutes les Applications

Disponibles dans des boîtiers standards à trous traversants et pour montage en surface, y compris des options TO-220-3L, TO-247-3L & 4L, et D2PAK-3L & 7L, ces FET sont conçus pour s’adapter à une multitude d’applications.

SiC FET - Qorvo